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供应 ALTERA 嵌入式FPGA(现场可编程门阵列)  EP2S30F672I4N
供应 ALTERA 嵌入式FPGA(现场可编程门阵列)  EP2S30F672I4N
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供应 ALTERA 嵌入式FPGA(现场可编程门阵列) EP2S30F672I4N

型号:

EP2S30F672I4N

品牌:

ALTERA

封装:

FBGA672

电压 - 电源:

1.15 V ~ 1.25 V

工作温度:

-40°C ~ 100°C

逻辑元件/单元数:

33880

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产品信息

深圳市凌旭科技有限公司 现货供应ALTERA 嵌入式FPGA(现场可编程门阵列) EP2S30F672I4N,全新原装现货,价格优惠!

FPGA

开放分类: IT、电子、IC、VLSI

FPGA是英文Field-Programmable Gate Array的缩写,即现场可编程门阵列,它是在PAL、GAL、WBRCPLD等可编程器件的基础上进一步发展的产物。WBR它是作为专用集成电路(ASIC)WBR领域中的一种半定制电路而出现的,既解决了定制电路的不足,WBR又克服了原有可编程器件门电路数有限的缺点。

【FPGA工作原理】

FPGA采用了逻辑单元阵列LCA(Logic Cell Array)这样一个新概念,内部包括可配置逻辑模块CLB(WBRConfigurable Logic Block)、输出输入模块IOB(Input Output Block)和内部连线(Interconnect)三个部分。WBRFPGA的基本特点主要有:

1)采用FPGA设计ASIC电路,用户不需要投片生产,WBR就能得到合用的芯片。

2)FPGA可做其它全定制或半定制ASIC电路的中试样片。

3)FPGA内部有丰富的触发器和I/O引脚。

4)FPGA是ASIC电路中设计周期短、开发费用、WBR风险的器件之一。

5) FPGA采用高速CHMOS工艺,功耗低,可以与CMOS、WBRTTL电平兼容。

可以说,FPGA芯片是小批量系统提高系统集成度、WBR可靠性的选择之一。

FPGA是由存放在片内RAM中的程序来设置其工作状态的,WBR因此,工作时需要对片内的RAM进行编程。WBR用户可以根据不同的配置模式,采用不同的编程方式。

加电时,FPGA芯片将EPROM中数据读入片内编程RAM中,WBR配置完成后,FPGA进入工作状态。掉电后,WBRFPGA恢复成白片,内部逻辑关系消失,因此,WBRFPGA能够反复使用。WBRFPGA的编程无须专用的FPGA编程器,WBR只须用通用的EPROM、PROM编程器即可。WBR当需要修改FPGA功能时,只需换一片EPROM即可。这样,WBR同一片FPGA,不同的编程数据,可以产生不同的电路功能。WBR因此,FPGA的使用非常灵活。

【FPGA配置模式】

FPGA有多种配置模式:WBR并行主模式为一片FPGA加一片EPROM的方式;WBR主从模式可以支持一片PROM编程多片FPGA;WBR串行模式可以采用串行PROM编程FPGA;WBR外设模式可以将FPGA作为微处理器的外设,WBR由微处理器对其编程。

如何实现快速的时序收敛、降低功耗和成本、WBR优化时钟管理并降低FPGA与PCB并行设计的复杂性等问题,WBR一直是采用FPGA的系统设计工程师需要考虑的关键问题。如今,WBR随着FPGA向更高密度、更大容量、WBR更低功耗和集成更多IP的方向发展,WBR系统设计工程师在从这些优异性能获益的同时,WBR不得不面对由于FPGA前所未有的性能和能力水平而带来的新的设WBR计挑战。

例如,FPGA厂商Xilinx近推出的Virtex-WBR5系列采用65nm工艺,可提供高达33万个逻辑单元、1,WBR200个I/O和大量硬IP块。WBR超大容量和密度使复杂的布线变得更加不可预测,WBR由此带来更严重的时序收敛问题。此外,WBR针对不同应用而集成的更多数量的逻辑功能、DSP、WBR嵌入式处理和接口模块,WBR也让时钟管理和电压分配问题变得更加困难。

幸运地是,FPGA厂商、WBREDA工具供应商正在通力合作解决65nm FPGA独特的设计挑战。不久以前,WBRSynplicity与Xilinx宣布成立超大容量时序收敛联WBR合工作小组,旨在帮助地系统设计工程师以更快、WBR更高效的方式应用65nm FPGA器件。WBR设计软件供应商Magma推出的综合工具Blast FPGA能帮助建立优化的布局,加快时序的收敛。

近FPGA的配置方式已经多元化!

【FPGA主要生产厂商介绍】

1、Altera

2、Xilinx

3、Actel

4、Lattice

其中Altera和Xilinx主要生产一般用途FPGA,WBR其主要产品采用RAM工艺。WBRActel主要提供非易失性FPGA,WBR产品主要基于反熔丝工艺和FLASH工艺。